Infineon liefert SiC-Leistungshalbleiter für Eatons 800-VDC-Plattform
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon stattet Eatons Mittelspannungs-Solid-State-Transformer MVSST 2.0 mit Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern aus. Das geht aus einer Pressemitteilung von Infineon vom 29. September hervor. Die Plattform soll die Stromumwandlung für hochverdichtete KI-Recheninfrastruktur effizienter und zuverlässiger gestalten. Die Partner wollen damit auch den Weg zu 800-VDC-Stromarchitekturen in Rechenzentren vorbereiten.